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* category: 電子回路の備忘録

J-FETを定電流源として使う 

J-FETはゲートとソースを短絡してあげることでCRDの代用になる.その応用として東芝のFAQにあるように,FETを定電流源に使うとき,IDSSの個体差を外付けの抵抗で制限してあげるというテクニックがある.

FETを定電流

実際にFAQと同じ回路を組み立て実験してみた.電源は9Vの乾電池,抵抗は300Ω.
この実験環境でいうとJ-FETのVGSは-0.25Vだった.

VGS=-0.25Vの場合,定電流特性(=電流制限=ドレイン電流)はどうなるのであろうか.
参考まで手持ちのJ-FETの特性をデータシートから収集してみた.VGS=-0.25Vを条件に,こうして見比べてみると意外に素子によりドレイン電流に開きがある.

・2SK30:約2mA
・2SK117:約0.5mA
・2SK170:約3mA
・2SK246:約4mA

2sk30_id_Vds.jpg
2sk117_id_Vds.jpg
2sk170_id_Vds.jpg
2sk246_id_Vds.jpg

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