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* category: アナログアンプ

MOS-FET 定電圧電源 




チューンアップをしてあげたTPA6120ヘッドホンアンプの電源製作を頼まれ,トランス電源を作った.

Picasa_P1020713.jpg

ケースはタカチのKC7-10-13.アンプ側キャパシタの耐圧は25Vなので,出力電圧は20V程度を目指す.
パーツ実装は8Pのラグで余裕と見込んでいたが,いざ実行してみるとギリギリセーフ.

Picasa_P1020715.jpg

備忘録として回路図.
回路は見てのとおりツェナーDiを基準電圧にMOS-FETの電流ブーストという古典的な回路.MOS-FETはオン抵抗の低さでHEXFETシリーズのパワーMOS「IRLB8721」を秋月電子で購入.@60円.画像のとおり金属面がキラキラ光輝いており美しい.
ほかケース以外の大半は在庫部品でまかなった.

音質はスケール感が上がり,大らかというか悠々とした懐の深さがある.またスイッチングACアダプターではフルボリューム状態で「シー」というホワイトノイズが目立ったが,この電源は静寂そのもの.オーディオの電源はトランスに限る.



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この記事に対するコメント

初めまして。やまぐちと申します。
一つ質問を提示したいのですが、図面回路図のMOSFETのG直下のRの値は最終的にはどの程度だったのでしょうか?

URL | やまぐち #mQop/nM. 【2013/11/14 18:13】 *編集*

Re: MOSFETのG直下のRの値

やまぐち様
MOSFETのG直下のRは,ご承知かと思いますがMOSFETの安定動作を目的に数オームから数十オームの抵抗を挿入するのが常識です.
値は経験上で120Ωとしました.ご参考まで.


URL | analogdevice #- 【2013/11/15 23:06】 *編集*

ご返答誠にありがとうございます。
経験則を伺うことが自分の知識へのフィードバックとなり、大変有意義に感じております。

URL | やまぐち #mQop/nM. 【2013/11/16 09:25】 *編集*

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